RN1103MFV,L3F(CT Datenblatt & Preis | pdf
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- Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
- Herunterladen: RN1103MFV,L3F(CT Datasheet PDF
- Preis: Anfrage
- Auf Lager: 315
- VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
- Stromkollektor-Abschaltung (Max): 500 nA
- Frequenz-Übergang: -
- Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)

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