BD139 NPN-Transistor | Pinbelegung | Datenblatt | Schaltplan onsemi
- Transistortyp: NPN
- Stromkollektor (Ic) (Max): 1,5 A
- Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung (max.): 80 V
- Paket: TO-225AA, TO-126-3

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bd139 Transistorprojekte LDR-Sensor
BD139 Schaltkreis
BD139 Einführung
Der BD139 ist ein bipolarer NPN-Transistor (BJT) mittlerer Leistung im TO-126-Gehäuse, der hauptsächlich in Leistungsverstärkerschaltungen, insbesondere Nieder- und Mittelfrequenzverstärkerschaltungen, eingesetzt wird. Er hält hohen Strömen und Spannungen stand und eignet sich daher ideal für die Ansteuerung von Hochleistungslasten. Dank seines geringen Sättigungsspannungsabfalls und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit findet er auch in Schaltkreisen breite Anwendung. Dank seiner guten Temperatureigenschaften und Stabilität bietet er auch unter extremen Betriebsbedingungen zuverlässige Leistung.
BD139 Pinbelegung
Der Verstärkungsbereich des BD139 liegt zwischen 40 und 160 (dies ist die Verstärkungskapazität des BD139). Aus dem Datenblatt ist ersichtlich, dass der Strom durch den Kollektorstift 1,5 A nicht überschreiten darf (wenn man die Toleranz von 20 % einhält, d. h., er darf 1,5 x 0,8 nicht überschreiten).
BD139 als Schalter verwendet
Das folgende Diagramm verwendet ein Schaltungsmodell von BD139 als Schalter mit einem Widerstand und einer LED zwischen Emitter und Kollektor.
Wenn der Schalter geschlossen ist, öffnet sich der Transistor BD139 und leitet zwischen Kollektor und Emitter, da die Eingangsspannung 6 V beträgt, was zu einem Strom an der Basis führt, der Strom fließt durch die LED und die LED gibt Licht ab.
Da zwischen Basis und Emitter ein PN-Übergang besteht, wird bei steigendem Basis-Emitter-Strom der PN-Übergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt, was wiederum zu einem Anstieg des Stroms zwischen Kollektor-Emitter führt und die Verstärkungsfähigkeit des BD139 sehr stark ist (40 bis 160), wodurch der BD139 größere Leistungsverstärkungsaufgaben bewältigen kann.
BD139 Schaltkreis