FDS6681Z | P-Kanal-MOSFET | Datenblatt | Schaltplan
Der FDS6681Z ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET. Entdecken Sie das ausführliche Referenzhandbuch mit einem umfassenden Schaltplan und nützlichen Beispieldesigns. Entdecken Sie den FDS6681Z für Anwendungen im Energiemanagement und in Schaltkreisen. Weitere Informationen zu Preisen und technischen Daten finden Sie im PDF-Dokument.
- FET-Typ: P-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
- Strom-Dauerentnahme (Id) bei 25 °C: 20A (Ta)
- Paket: 8-SOIC

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