IXFH80N65X2 | Datenblatt | Preis | PDF
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- FET-Typ: N-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
- Strom-Dauerentnahme (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
- Paket: TO-247 (IXTH)

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