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RN1106MFV,L3F(CT
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RN1106MFV,L3F(CT Datenblatt & Preis | pdf

Discover the comprehensive RN1106MFV,L3F(CT Reference Manual available in pdf format, providing essential insights into functionality and specifications. Ensure optimal performance with detailed guidance and find competitive price information for your technical needs.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1106MFV,L3F(CT Datasheet PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 500 nA
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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