RN1113,LF(CT Datenblatt & Preis | pdf
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- Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
- Herunterladen: RN1113,LF(CT Datasheet PDF
- Preis: Anfrage
- Auf Lager: 3,000
- VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 250 µA, 5 mA
- Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
- Frequenz-Übergang: 250 MHz
- Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)

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