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RN2413TE85LF
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RN2413TE85LF Datenblatt | Preis pdf

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Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: 200 MHz
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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