SI2302DDS-T1-GE3 - Datasheet | PDF Vishay Siliconix
The SI2302DDS-T1-GE3 offers exceptional performance in its category. Check the Reference manual for detailed technical data and specifications. Download the pdf for easy access, and discover competitive price options available for purchase.
- FET-Typ: N-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
- Strom-Dauerentnahme (Id) bei 25 °C: 2.9A (Tj)
- Paket: SOT-23-3 (TO-236)

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