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GBU806
GBU806

GBU806 Bridge | Circuit, Diode & LT Specifications

Discover the GBU806 bridge for efficient diode-based circuits. Get detailed insights into its circuit design, diode specifications, and LT performance. Compare GBU808 vs GBU806 and explore its Reference manual for full technical guidance.
Marken: Taiwan Semiconductor Corporation
Herunterladen: GBU806 Datenblatt PDF
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Spannungsspitzenrückwärts (Max): 800 V
Strom-Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8 A
Vorwärtsspannung (Vf)(Max)@If: 1 V @ 2 A
Paket: 4-SIP, GBU
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