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HN1B01FU-Y(L,F,T)
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HN1B01FU-Y(L,F,T) Datenblatt | Preis

Explore the comprehensive HN1B01FU-Y(L,F,T) Reference Manual available as a pdf for essential technical insights and specifications. Discover current price details to ensure you make informed purchasing decisions for this innovative component.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 120 @ 2mA, 6V
Leistung-Max: 200 mW
Frequenz-Übergang: 120 MHz
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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