HN4B01JE(TE85L,F)
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HN4B01JE(TE85L,F) Datenblatt | Preis | PDF

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Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 120 @ 10MA, 100MA
Leistung-Max: 100mW
Frequenz-Übergang: 80 MHz
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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