IRF840 | Datenblatt, Schaltplan, Äquivalent, Pinbelegung STMicroelectronics

IRF840 – International Rectifier: Dynamite dv/dt-Bewertung

IRF840-Pinbelegung

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IRF840-Äquivalent

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Der IRF840 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET-Transistor, der häufig im elektronischen Schaltungsdesign verwendet wird, insbesondere in Schaltnetzteilen und Wechselrichtern. Seine spezifischen Parameter sind: Die maximale Spannung beträgt 500 V und erfüllt damit die Anforderungen der meisten Schaltungen. Die maximal zulässige Stromstärke von 8 A (bei steigender Temperatur reduziert sich dieser Wert auf 5,1 A) reicht für die meisten Schaltungen aus. Dauerhafter Betrieb mit hoher Leistung führt zu einer Erwärmung des Transistors und damit zu einer Leistungsreduzierung. Daher ist besonderes Augenmerk auf die Wärmeableitung zu legen (z. B. durch externe Kühlkörper oder Silikonfett). Der Einschaltwiderstand (Rds(on)) des IRF840 beträgt lediglich 0,7 Ohm (Nennwert maximal 0,85 Ohm), und der geringere Einschaltwiderstand kann zusätzliche Leistungsverluste wirksam verringern und die Effizienz der Schaltung verbessern. Die Schwellenspannung des IRF840 liegt bei 2 V bis 4 V, wir können diesen Transistor problemlos ansteuern; und die Schaltzeit beträgt lediglich etwa 400 ns, was ihn für Hochfrequenz-Schaltkreise nutzbar macht. Das Gehäuse hat die Form TO-220, was den Vorteil einer einfachen Wärmeableitung und Installation bietet, den Nachteil hat, dass es relativ viel Platz einnimmt.

IRF840 Austauschbarer Chiptisch

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IRF840 Schaltplan

Die irf840 ist eine N-Kanal-MOS-Feldeffektröhre im TO-220-Gehäuse. Die Hauptmerkmale sind niedrige Gate-Ladung, geringe Rückkopplungskapazität und sehr schnelles Schalten. Daher wird sie in den meisten Fällen als Schaltröhre eingesetzt, beispielsweise bei hocheffizienten DC-DC-Schaltungen (bei denen durch Schalten mit unterschiedlichen Frequenzen unterschiedliche Gleichspannungen ausgegeben werden können).
Die maximale Spannungsfestigkeit von irf840 beträgt 500 V und gehört damit zu den Produkten mit der höchsten Spannungsfestigkeit in dieser Serie. Der Leckstrom beträgt 1 mA und der Durchlasswiderstand beträgt 0,85 Ω (je kleiner der Durchlasswiderstand, desto geringer ist der statische Stromverbrauch). Der Durchlasswiderstand ist in dieser Serie der höchste, da der irf840 eine hohe Spannungsfestigkeit und -leistung aufweisen soll. Daher ist die innere Struktur dicker und der Durchlasswiderstand ist groß. Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C. Alternative Produkte sind: FTK480, KF12N50, IRF740, BSS138 usw. (Wählen Sie ein Ersatzmaterial, um die alternativen Komponenten zu berücksichtigen). Bereich: -55 °C bis +150 °C. Alternative Produkte sind: FTK480, KF12N50, IRF740, BSS138 usw. (Bei der Auswahl des alternativen Materials sollten wir die Spannungsfestigkeit der alternativen Komponenten und den maximalen Strom berücksichtigen, der den Durchfluss unterstützt.)

So betreiben Sie eine MOS-Röhre:

Schaltplan des IRF840-Treibers

Der Antrieb des IRF840 erfordert einen ausreichend hohen Übergangsstrom. Neben dem Direktantrieb ist die Gegentakt-Ansteuerung (Totempfahl-Ansteuerung) die gängigste Antriebsmethode. R1 in der Abbildung stellt die simulierte Last dar (z. B. LED, Lüfter, Motor usw.). Da der gängige Mikrocontroller möglicherweise nicht den Strom ausgeben kann, der für den MOS-Antrieb benötigt wird, verwenden wir einen PNP- und einen NPN-Emitter (Emitterschaltung). Ziel ist es, den Gate-Antriebsstrom der MOS-Röhre zu verstärken.