IXTP3N120 | MOSFET, Datenblatt, Preis
The IXTP3N120 is designed for high-performance power applications. Explore its detailed Reference manual for technical specifications and gain access to the pdf version for further insights. Check for the latest price to make an informed purchase.
- FET-Typ: N-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
- Strom-Dauerentnahme (Id) bei 25 °C: 3A (Tc)
- Paket: TO-220-3

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