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RN1103ACT(TPL3)
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RN1103ACT(TPL3) Datenblatt | Preis | PDF

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Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 150 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 500 nA
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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