RN1106MFV,L3F
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RN1106MFV,L3F Datenblatt, Preis, PDF

Entdecken Sie das RN1106MFV,L3F Referenzhandbuch mit umfassenden technischen Details und Preisinformationen. Dieses wichtige PDF liefert wertvolle Daten zur Optimierung Ihrer Projekte mit diesen hochwertigen Komponenten.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 500 nA
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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