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RN1107MFV,L3F(CT
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RN1107MFV,L3F(CT Datenblatt, Preis, pdf

Entdecken Sie das umfassende Referenzhandbuch für RN1107MFV,L3F(CT). Diese PDF-Ressource bietet wichtige technische Details und Preisinformationen, die Sie bei Ihrem Entscheidungsprozess unterstützen und die Effizienz Ihrer Projekte mit diesen Modellen steigern.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1107MFV,L3F(CT Datenblatt PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 500 nA
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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