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RN1110(T5L,F,T)
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RN1110(T5L,F,T) Datenblatt | Preis | PDF

Find the comprehensive RN1110(T5L,F,T) Reference Manual to explore its features, specifications, and usage details. This document includes essential information in pdf format, along with insights on its application and price for informed decision-making.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1110(T5L,F,T) Datasheet PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: 250 MHz
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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