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RN1110ACT(TPL3)
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RN1110ACT(TPL3) Datenblatt & Preis | pdf

Explore the RN1110ACT(TPL3) Reference Manual for comprehensive insights and technical specifications. This essential pdf document provides detailed information to support your projects. Check the latest price for this crucial component to ensure your design's success.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 150 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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