RN1111ACT(TPL3) Datenblatt | Preis | PDF
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- Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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- VceSättigung(Max)@IbIc: 150 mV bei 250 µA, 5 mA
- Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
- Frequenz-Übergang: -
- Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)

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