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RN1112ACT(TPL3)
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RN1112ACT(TPL3) Datenblatt, Preis, pdf

Entdecken Sie umfassende Einblicke im RN1112ACT(TPL3)-Referenzhandbuch im PDF-Format. Dieser wichtige Leitfaden enthält detaillierte Spezifikationen und Informationen, die Ihnen fundierte Kaufentscheidungen erleichtern und Ihnen helfen, den passenden Preis für Ihre spezifischen Anforderungen zu finden.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1112ACT(TPL3) Datenblatt PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 150 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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