RN1112MFV,L3F
RN1112MFV,L3F

RN1112MFV,L3F Datenblatt, Preis, PDF

Find the comprehensive RN1112MFV,L3F Reference Manual for detailed insights into the RN1112MFV,L3F model. This essential document covers specifications, pricing, and more, available in PDF format to support your technical needs.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1112MFV,L3F Datasheet PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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