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RN1113MFV,L3F
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RN1113MFV,L3F Datenblatt & Preis | pdf

Explore the comprehensive RN1113MFV,L3F Reference Manual, available in pdf format, to understand these models' specifications and applications. Discover the competitive price and enhance your project efficiency with detailed insights from this essential document.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
Herunterladen: RN1113MFV,L3F Datasheet PDF
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR)
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