RN1119MFV,L3F Datenblatt & Preis | pdf
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- Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
- Herunterladen: RN1119MFV,L3F Datasheet PDF
- Preis: Anfrage
- Auf Lager: 13,108
- VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
- Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
- Frequenz-Übergang: -
- Paket: Band und Rolle (TR)

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