RN1132MFV,L3F
RN1132MFV,L3F

RN1132MFV,L3F Datenblatt, Preis, PDF

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Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 500 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR)
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