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RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3) Datenblatt, Preis, pdf

Entdecken Sie umfassende Details im RN2110ACT(TPL3)-Referenzhandbuch, das im praktischen PDF-Format verfügbar ist. Informieren Sie sich über Preise und verbessern Sie Ihr Verständnis dieser Komponente für eine optimierte Anwendung in Ihren Projekten.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 150 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: -
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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