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RN2112,LF(CT
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT Datenblatt & Preis | pdf

Explore the comprehensive RN2112,LF(CT Reference Manual to gain in-depth knowledge and specifications that will enhance your understanding and application of this model. Access the PDF version for easy reference and find competitive price details to make informed purchasing decisions.
Marken: Toshiba Halbleiter und Speicher
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VceSättigung(Max)@IbIc: 300 mV bei 250 µA, 5 mA
Stromkollektor-Abschaltung (Max): 100 nA (ICBO)
Frequenz-Übergang: 200 MHz
Paket: Band und Rolle (TR), Bandabschnitte (CT)
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