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SSM3J332R,LF – Hoja de datos y especificaciones del PFET SOT-23 Toshiba Semiconductor and Storage

El manual de referencia del SSM3J332R, LF proporciona especificaciones clave e información sobre la aplicación. Diseñado para encapsulado SOT-23, este P-FET garantiza un rendimiento eficiente del circuito.

Marcas: Toshiba Semiconductores y almacenamiento

Descargar: Hoja de datos del SSM3J332R,LF (PDF)

Precio: consulta

En stock: 100,039

Tipo de FET: Canal P

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 voltios

Drenaje continuo de corriente (Id) a 25 °C: 6A (Ta)

Paquete: SOT-23F

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