IRF840 Hoja de datos, diagrama de circuito, equivalente, pines de STMicroelectronics

IRF840 – Rectificador internacional: Clasificación de dv/dt de dinamita

Distribución de pines del IRF840

Imagen irf840

Equivalente de IRF840

Imagen irf840

El IRF840 es un transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento, comúnmente utilizado en el diseño de circuitos electrónicos, especialmente en fuentes de alimentación conmutadas e inversores. Sus parámetros específicos son los siguientes: voltaje máximo de 500 V, que cumple con los requisitos de voltaje de la mayoría de los circuitos; corriente máxima admisible de 8 A (que se reduce a 5,1 A con el aumento de temperatura), suficiente para cumplir con los requisitos de la mayoría de los circuitos; el funcionamiento continuo a alta potencia provoca el calentamiento del transistor y reduce su potencia, por lo que es importante prestar especial atención a la solución de problemas de disipación de calor (como disipadores externos o grasa de silicona). La resistencia de encendido (Rds(on)) del IRF840 es de tan solo 0,7 ohmios (con un máximo de 0,85 ohmios), lo que reduce eficazmente las pérdidas de potencia adicionales y mejora la eficiencia del circuito. El voltaje umbral del IRF840 es de 2 V a 4 V, lo que permite controlar fácilmente este transistor. El tiempo de conmutación es de tan solo unos 400 ns, lo que permite su uso en circuitos de conmutación de alta frecuencia. El encapsulado es TO-220, lo que ofrece ventajas como una fácil disipación del calor y una instalación sencilla, mientras que la desventaja es que ocupa un espacio relativamente grande.

Mesa de chip reemplazable IRF840

Imagen STW14NK50Z

Imagen RS18N50S

Imagen del SIHG20N50C-JSM

Imagen VBM15R08

Imagen SPW16N50C3

Diagrama del circuito IRF840

El irf840 es un tubo de efecto de campo MOS de canal N con encapsulado TO-220. Sus principales características son la baja carga de compuerta, la baja capacitancia de retroalimentación y la rápida conmutación, por lo que se utiliza como tubo de conmutación en la mayoría de los casos, como en CC-CC de alta eficiencia (donde se pueden generar diferentes voltajes de CC conmutando a diferentes frecuencias).
Tensión de resistencia máxima irf840 de 500 V, la más alta de la serie; corriente de fuga de 1 mA; resistencia de encendido de 0,85 Ω (cuanto menor sea la resistencia de encendido, menor será el consumo de energía estática). Esta resistencia es la más alta de esta serie, ya que el posicionamiento del irf840 requiere una alta tensión de resistencia y potencia, por lo que su estructura interna es más gruesa y su resistencia de encendido es mayor. Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ +150 °C; alternativas: FTK480, KF12N50, IRF740, BSS138, etc. (considere los componentes alternativos con un material de reemplazo). Rango: -55 °C ~ +150 °C. Los productos alternativos son: FTK480, KF12N50, IRF740, BSS138, etc. (Al elegir el material alternativo, debemos considerar el valor de resistencia de voltaje de los componentes alternativos y la corriente máxima que soporta el flujo).

Cómo accionar un tubo MOS:

Diagrama del circuito del controlador irf840

El control del irf840 requiere una corriente transitoria suficientemente alta. Además del control directo, el método más común es la salida push-pull (control tótem pole). R1 en la figura representa la carga simulada (puede ser un LED, un ventilador, un motor u otros dispositivos). Dado que el microcontrolador general podría no ser capaz de generar la corriente necesaria para el control MOS, se utiliza un emisor PNP y NPN conectado (circuito amplificador de emisor común). El objetivo es amplificar la corriente de control de la puerta del tubo MOS.