HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF Ficha técnica y precio | PDF

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Marcas: Toshiba Semiconductores y almacenamiento
Descargar: HN1A01FU-GR,LF Datasheet PDF
Precio: consulta
En stock: 28,235
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 200 @ 2mA, 6V
Potencia máxima: 200 mW
Transición de frecuencia: 80 MHz
Paquete: Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
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