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HN1A01FE-GR,LXHF Ficha técnica, precio, PDF

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Marcas: Toshiba Semiconductores y almacenamiento

Descargar: HN1A01FE-GR,LXHF Datasheet PDF

Precio: consulta

En stock: 7,705

DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 200 @ 2mA, 6V

Potencia máxima: 100mW

Transición de frecuencia: 80 MHz

Paquete: Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)

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