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HN1B04FE-GR,LF
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HN1B04FE-GR,LF Ficha técnica y precio | PDF

Explore the comprehensive HN1B04FE-GR,LF Reference Manual available in PDF format. This essential guide provides detailed insights, technical specifications, and pricing information, ensuring you have everything you need to make informed decisions on your electronic projects.
Marcas: Toshiba Semiconductores y almacenamiento
Descargar: HN1B04FE-GR,LF Datasheet PDF
Precio: consulta
En stock: 4,000
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 200 @ 2mA, 6V
Potencia máxima: 100mW
Transición de frecuencia: 80 MHz
Paquete: Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
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