IRF830 Hoja de datos, equivalente, distribución de pines, circuitos de aplicación STMicroelectronics

[SGeC] IRF830 MOSFET de canal N 500 V-4,5 A-100 W

Equivalente de pines del IRF830

1: Descripción general del IRF830:

La serie IRF830 es un MOSFET de potencia de alto voltaje en modo mejorado de canal N, ampliamente utilizado en conversión de potencia, control de motores e inversores. El IRF830 tiene una tensión nominal de 500 V, una corriente máxima de 4,5 A y una resistencia interna de 1,5 ohmios. Se puede aplicar en circuitos de conversión de potencia (como convertidores CC-CA o CC-CC, o el circuito secundario de un inversor) y control de motores (como controladores de motores PWM de puente H de alto voltaje). Sin embargo, durante el diseño, es importante configurar la protección contra sobrecorriente, cortocircuito y sobrecalentamiento para evitar daños en el MOSFET.

2：IRF830 Definición importante de la función del pin:

3：Recomendación de modelo alternativo

IRF840:El IRF840 Es un MOSFET de potencia de canal N en modo mejorado, ampliamente utilizado en circuitos de conmutación de alta tensión. Presenta una alta tensión no disruptiva de 500 V y una baja resistencia de encendido (valor típico de 1,8 Ω), con una corriente de drenaje continua de 8 A. Es adecuado para aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, variadores de frecuencia para motores, inversores y otros escenarios de conmutación de alta frecuencia.

STP5NK50ZCon una tensión de ruptura de hasta 500 V, se adapta a entornos de trabajo de alta tensión, garantizando un rendimiento estable y fiable en aplicaciones de alta tensión. La corriente de drenaje continua puede alcanzar hasta 5 A, lo que satisface los requisitos del variador para diversas cargas de media y baja potencia.

FQP5N50CEste MOSFET presenta una baja resistencia de encendido, lo que ayuda a reducir la pérdida de potencia durante la conducción y mejora la eficiencia del circuito. Gracias a su rápida velocidad de conmutación, el FQP5N50C puede conmutar rápidamente entre encendido y apagado, lo que lo hace ideal para circuitos de conmutación de alta frecuencia.

IXTH5N50PEl IXTH5N50P es un MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N fabricado por IXYS Corporation. Este MOSFET destaca por su baja resistencia de encendido, lo que reduce eficazmente la pérdida de potencia durante la conducción y mejora la eficiencia de conversión de energía. Además, presenta una alta velocidad de conmutación, lo que permite transiciones rápidas entre los estados activado y desactivado, lo que lo hace especialmente adecuado para circuitos de conmutación de alta frecuencia.

Comparación de los parámetros principales de varios modelos