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- Marcas: Toshiba Semiconductores y almacenamiento
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- VceSaturación(Máx.)@IbIc: 150 mV a 250 µA, 5 mA
- Corte del colector de corriente (máx.): 500 nA
- Transición de frecuencia: -
- Paquete: Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
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