IPW65R019C7 | Fiche technique, PDF, Prix
L'IPW65R019C7 est un MOSFET hautes performances offrant un excellent rendement pour les applications de puissance. Son manuel de référence fournit des spécifications détaillées pour une utilisation optimale. Consultez le prix et la documentation PDF pour une intégration facile dans vos projets.
- Marques : Infineon Technologies
- Télécharger: Fiche technique IPW65R019C7 (PDF)
- Prix: enquête
- En stock: 8,409
- Type de FET : canal N
- Tension drain-source (Vdss) : 650 V
- Courant-Drain continu (Id) à 25 °C : 75A (Tc)
- Emballer: PG-TO247-3

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