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SI2302DDS-T1-GE3
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SI2302DDS-T1-GE3 - Fiche technique | PDF Vishay Siliconix

Le SI2302DDS-T1-GE3 offre des performances exceptionnelles dans sa catégorie. Consultez le manuel de référence pour obtenir des données techniques et des spécifications détaillées. Téléchargez le PDF pour un accès facile et découvrez les options à prix compétitifs disponibles à l'achat.
Marques : Vishay Siliconix
Télécharger: SI2302DDS-T1-GE3 Fiche technique PDF
Prix: enquête
En stock: 40
Type de FET : canal N
Tension drain-source (Vdss) : 20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 °C : 2,9 A (Tj)
Emballer: SOT-23-3 (TO-236)
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