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IRF640 | アンプ回路、ピン配置、等価回路、トランジスタ
- FETタイプ: Nチャネル
- ドレイン-ソース電圧(Vdss): 200V
- 連続ドレイン電流(Id)@25°C: 18A（Tc）
- パッケージ： TO-220
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IRF640トランジスタ、Utsource
IRF640 ピン配置相当
irf640 ピン配置図
IRF640は、International Rectifier Corporationが製造するNチャネルパワーMOSFET（第5世代HEXFETパワーMOSFET）であり、スイッチング電源、保護回路、電力増幅回路の設計において電子技術者に広く使用されています。主な利点は、高耐圧、低オン抵抗、優れたスイッチング特性であり、IRF640はパワーエレクトロニクス設計において非常に人気があります。しかし、場合によっては代替モデルを検討する必要があるかもしれません。そこで、この記事ではIRF640のピン機能を紹介し、いくつかの代替案を提示します。
重要なパラメータ:
最大耐電圧：200V
連続電流に耐えることができます：18A;
オン抵抗は0.18
オン電圧：2〜4V;
パッケージ: TO-220;
IRF640 ピンメニュー:
| ピン | シンボル | 説明 |
|---|---|---|
| 1 | ゲート | MOSFETを制御するために使用されるスイッチは、通常、ドライバ回路に接続されます。 |
| 2 | ドレイン | MOSFET のドレイン。通常は正の電源または負荷に接続されます。 |
| 3 | ソース | MOSFETのソースは通常、グランドまたは負荷のもう一方の端に接続されます。 |
代替製品モデルリスト:
| 写真 | 名前 | タイプ | VDSS | Vグス(番目) | ID | パッド | パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF640N | N-MOSFET | 200V | 4V | 18A | 150W | TO-220 |
 |
SVD640T | N-MOSFET | 200V | 2V | 18A | 150W | TO-220 |
 |
NCE0224K | N-MOSFET | 200V | 4V | 24A | 150W | TO-252-2 |
 |
IRFP240PBF | N-MOSFET | 200V | 2V | 20A | 150W | TO-247AC |
 |
IRF640NPBF | N-MOSFET | 200V | 2V | 18A | 150W | TO-220AB |
代理配慮
代替モデルを選択する際には、次の 2 つの点に注意する必要があります。
1 ピンの互換性: 選択したモデルが IRF640 とまったく同じであることを確認します (異なるモデルでも問題ありませんが、その場合は PCB を再設計する必要があります)。
2 電圧値と電流値を制限する: 適切な電圧と電流値を選択して、回路への不十分な損傷を回避します。
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