ES1B ダイオードのデータシート、価格 onsemi
- 電圧 - DC逆方向(Vr)(最大): 100V
- 電流 - 平均整流電流 (Io): 1A
- スピード: 高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)
- パッケージ: DO-214AC、SMA

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ES1Bピン配置
その ES1Bダイオード ES1Bは、高速応答と低い順方向電圧降下が特徴で、広く普及している表面実装ダイオードです。最大逆電圧100V、最大電流容量1Aを備え、効率が最も重視される回路に最適です。低電圧降下と高速回復時間により、ES1Bは電力整流器、DC-DCコンバータ、保護回路など、高速スイッチングを必要とするあらゆるアプリケーションで広く使用されています。電子設計全体の性能と効率を向上させる実用的な選択肢です。
ES1Bピン配置
ピン番号 | ピン名 | 説明 |
1 | カソード(-) | マイナス端子。負荷または出力に接続します。 |
2 | 陽極(+) | 正極端子。入力または電源に接続します。 |
注記:
ES1Bダイオードは、標準的な2ピン表面実装(SMA/DO-214AC)パッケージを採用しています。回路の損傷やダイオードの故障を防ぐため、取り付け前に必ずダイオードの極性をご確認ください。
ES1B相当ダイオード
パラメータ | ES3J | ES3D | ES3G | ES3H |
逆電圧(VRRM) | 600V | 200V | 400V | 500V |
平均順方向電流 (IF) | 3A | 3A | 3A | 3A |
ピークサージ電流(IFSM) | 100 A | 100 A | 100 A | 100 A |
順方向電圧降下(VF) | 1.7V @ 3A | 1.25V @ 3A | 1.3V @ 3A | 1.7V @ 3A |
逆回復時間(trr) | 35ナノ秒 | 35ナノ秒 | 35ナノ秒 | 35ナノ秒 |
パッケージタイプ | DO-214AB(SMC) | DO-214AB(SMC) | DO-214AB(SMC) | DO-214AB(SMC) |
動作温度範囲 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
メーカー | 各種(例:ON Semiconductor、Taiwan Semiconductor) | 各種(例:ON Semiconductor、Taiwan Semiconductor) | 各種(例:ON Semiconductor、Taiwan Semiconductor) | 各種(例:ON Semiconductor、Taiwan Semiconductor) |
これらのダイオードはすべて同じパッケージ タイプ (DO-214AB/SMC) を共有し、同等の電気特性を備えているため、特定の電圧要件に応じて多くのアプリケーションで互換性があります。
ES1Bダイオード回路例
回路図に示すように、フライバック ダイオード D4 (ES1B) はリレー コイルに並列に接続され、コイルのスイッチがオフになったときに発生する高電圧スパイクを抑制し、トランジスタ Q2 およびその他のコンポーネントを保護します。
リレーコイルに通電すると(Q2がオン)、リレー接点の状態が切り替わり、NO2とCOM2が閉じ、NC2とCOM2が開きます。コイルへの通電が停止すると(Q2がオフ)、リレー接点はデフォルト状態に戻り、NC2とCOM2が再び閉じます。
ES1BとES1Dの高速回復
パラメータ | ES1B | ES1D |
最大繰り返し逆電圧(VRRM) | 100V | 200V |
平均順方向電流 (IF(AV)) | 1.0A | 1.0A |
ピーク順方向サージ電流(IFSM) | 30 A | 30 A |
最大順方向電圧(VF @1A) | 0.92ボルト | 0.92ボルト |
逆回復時間(trr) | 15ナノ秒 | 15ナノ秒 |
逆漏れ電流(IR @25℃) | 5 uA @ 100 V | 5 uA @ 200 V |
動作接合温度(TJ) | -55~+150 | -55~+150 |
パッケージタイプ | SMA(DO-214AC) | SMA(DO-214AC) |
標準的な接合容量(Cj) | 7 pF @ VR=4V、f=1MHz | 7 pF @ VR=4V、f=1MHz |
代表的な用途 | 100Vまでの整流、フリーホイール、逆極性保護に適しています。 | 整流、フリーホイール、最大 200V までの逆極性保護に適しています。 |
主な違い:
ES1BとES1Dの主な違いは、最大繰り返し逆電圧(VRRM)にあります。ES1Bは最大100Vをサポートし、低電圧回路に適しています。一方、ES1Dは最大200Vをサポートし、高電圧アプリケーションに最適です。
アプリケーションの推奨事項:
回路の逆電圧が100Vを超えない場合は、ES1Bで十分です。100Vを超える逆電圧が発生する可能性がある場合は、信頼性と安全性を高めるためにES1Dをお勧めします。
ES1B 600Vダイオードアプリケーション
ES1Bダイオードを使用する場合は、600ボルトではなく100ボルト程度のアプリケーション向けに設計されていることに注意してください。600ボルト程度の高電圧を扱う場合は、高電圧シナリオ向けに特別に設計されたES1Jダイオードなどの製品を使用することをお勧めします。これらの高速回復ダイオードは、スイッチング電源の高周波整流、誘導負荷(モーターやリレーなど)を使用する際の電圧スパイクからの保護、偶発的な逆極性接続からの回路の保護、スナバ回路による電圧スパイクへの対応などに最適です。回路の安全性と信頼性を維持するために、必ず特定の電圧要件に適した定格のダイオードを選択してください。