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[SGeC] IRF830 NチャネルMOSFET 500V-4.5A-100W

IRF830 ピン配置相当

1：IRF830の概要：

IRF830シリーズは、電力変換、モータ駆動、インバータなどに広く使用されているNチャネルエンハンスメントモード高耐圧パワーMOSFETです。IRF830は定格電圧500V、最大電流4.5A、内部抵抗1.5Ωです。電力変換回路（DC-ACコンバータ、DC-DCコンバータ、インバータの二次側回路など）やモータ駆動回路（高電圧HブリッジPWMモータドライバなど）に適用できます。ただし、設計時には、MOSFETの損傷を防ぐために、過電流、短絡、過熱保護機能を設定することが重要です。IRF830

2：IRF830 重要なピン機能の定義：

3：代替モデルの推奨

IRF840：その IRF840 高電圧スイッチング回路に広く使用されているNチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFETです。500Vの高い耐圧と低いオン抵抗（標準値1.8Ω）、そして8Aの連続ドレイン電流を特長としています。スイッチング電源、モーター駆動装置、インバータ、その他の高周波スイッチング用途に最適です。

STP5NK50Z：最大500Vのブレークダウン電圧により、高電圧動作環境に適応し、高電圧アプリケーションにおいて安定した信頼性の高い性能を確保します。連続ドレイン電流は最大5Aに達し、様々な中低電力負荷の駆動要件を満たします。

FQP5N50C：このMOSFETはオン抵抗が低いため、導通時の電力損失を低減し、回路効率を向上させます。FQP5N50Cはスイッチング速度が速く、オンとオフの状態を素早く切り替えることができるため、高周波スイッチング回路に適しています。

IXTH5N50P：IXTH5N50Pは、IXYS株式会社が製造するNチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFETです。このMOSFETは低いオン抵抗を特徴としており、導通時の電力損失を効果的に低減し、電力変換効率を向上させます。さらに、スイッチング速度が速く、オン状態とオフ状態間の遷移が速いため、特に高周波スイッチング回路に適しています。

複数のモデルの主なパラメータの比較