IRF840 | データシート、回路図、等価回路、ピン配置 STMicroelectronics

IRF840 – インターナショナル・レクティファイアー：ダイナマイトdv/dt定格

IRF840 ピン配置

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IRF840相当

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IRF840は、電子回路設計でよく使用される高性能NチャネルMOSFETトランジスタであり、スイッチング電源回路やインバータ回路設計に広く使用されています。具体的なパラメータは以下のとおりです。最大電圧値は500Vで、ほとんどの回路の電圧要件を満たすことができます。最大許容電流は8A（温度上昇に伴い5.1Aに低下）で、ほとんどの回路の要件を満たすのに十分です。高出力動作を継続的に行うとトランジスタが発熱し、トランジスタの出力が低下するため、放熱対策（外部ヒートシンクやシリコングリースなど）に特に注意する必要があります。 IRF840のオン抵抗（Rds(on)）はわずか0.7オーム（最大定格0.85オーム）で、オン抵抗が低いほど追加の電力損失を効果的に削減し、回路の効率を向上させることができます。 IRF840のしきい値電圧は2V〜4Vで、このトランジスタを簡単に駆動できます。 また、スイッチング時間はわずか400ns程度で、高周波スイッチング回路に使用できます。 パッケージはTO-220形式で、放熱性と取り付けやすさに優れていますが、比較的大きなスペースを占めるという欠点があります。

IRF840 交換可能チップテーブル

STW14NK50Z 画像

RS18N50S 画像

SIHG20N50C-JSM 画像

VBM15R08 画像

SPW16N50C3 画像

IRF840 回路図

irf840は、TO-220パッケージを採用したNチャネル型MOS電界効果管です。主な特長は、低ゲート電荷、低帰還容量、そして非常に高速なスイッチング特性です。そのため、高効率DC-DC（異なる周波数でスイッチングすることで異なるDC電圧を出力できる）など、スイッチング管として広く利用されています。
irf840 の最大耐電圧は 500V で、シリーズの中で最も高い耐電圧値に属します。リーク電流は 1mA と大きく、オン抵抗は 0.85Ω です (オン抵抗が小さいほど、静的消費電力が低いことを示します)。オン抵抗はこのシリーズの中で最も大きいです。irf840 は大きな耐電圧と電力を求められるため、内部構造が厚くなり、オン抵抗が大きくなります。動作温度範囲: -55 ℃ ~ +150 ℃。代替製品: FTK480、KF12N50、IRF740、BSS138 など (代替部品を検討する場合は、代替材料を選択してください)。範囲: -55℃ ~ +150℃。代替製品は、FTK480、KF12N50、IRF740、BSS138 などです。(代替材料を選択する際には、代替部品の耐電圧値と、通過する電流の最大値を考慮する必要があります)。

MOS チューブの駆動方法:

irf840ドライバ回路図

IRF840を駆動するには、十分な過渡電流が必要です。直接駆動に加えて、プッシュプル出力（トーテムポール駆動）がより一般的な駆動方式です。図中のR1は模擬負荷（LED、ファン、モーターなどのデバイス）です。一般的なマイクロコントローラではMOS駆動に必要な電流を出力できない可能性があるため、PNPとNPNのエミッタを接続した（コモンエミッタ増幅回路）を使用し、MOSチューブのゲート駆動電流を増幅します。