MJE3055T トランジスタ | 回路図、等価回路、アプリケーション、データシート STMicroelectronics

MJE3055Tトランジスタ完全ガイド | 動作原理 | 等価トランジスタとその利点

MJE3055T 回路図

MJE3055Tは、TO-220パッケージのシリコンエピタキシャルベースNPNトランジスタです。電力スイッチング回路や汎用アンプに使用されます。相補型PNPトランジスタはMJE2955Tです。以下の図は、PNPタイプのMJE2955TとNPNタイプのMJE3055Tの内部構造をそれぞれ示しています。

MJE3055T ピン配置図

パラメータMJE3055Tの詳細な説明:

極性：NPN;
PCN（mw）電力：2Wlc（mA）；
電流: 10A。
BVCBO(V) コレクタ-ベース電圧: 70V。
BVCEO(V)コレクタ-エミッタ電圧: 60V;
BVEBO(V)エミッタ-ベース電圧:5V。
hFE（分）最小増幅：20。
hFE(max) 最大増幅度: 100。
以下は、MJE3055T を駆動するシンプルな LED 回路です。MJE3055T のベースに十分な電圧が印加されるとトランジスタが導通します。トランジスタが導通すると、電源（3.3V）から MJE3055T のコレクタとエミッタである LED1 に電流が流れ、LED が点灯します。
MJE3055T はシリコン トランジスタであるため、オン電圧は 0.7 V 必要です。ゲルマニウム トランジスタであれば、オン電圧は 0.2 ～ 0.3 V にしかなりません。MJE3055T はシリコン トランジスタであるため、オン電圧は 0.3 V 必要です。

MJE3055T 回路図

シリコントランジスタとゲルマニウムトランジスタの比較概要