Авторизоваться | Зарегистрироваться | Помощь

kasuo.com

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

LBN150B01-7 технический паспорт, цена | PDF

Discover the LBN150B01-7 Reference Manual for comprehensive insights, including specifications and usage details. Explore its features, check the price, and access the document in pdf format to enhance your understanding of this component.

Бренды: Встроенные диоды

Скачать: LBN150B01-7 Datasheet PDF

Цена: расследование

В наличии: 1,727

DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V

Мощность-Макс: 300мВт

Частота-Переход: 250МГц

Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT), отрезная лента (CT)

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции

Больше похожего

MMDT3906HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BC846BSHE3-TP

Микро Коммерческая Компания

MMDT3904HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

MMDT3946HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BC847PNHE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BCM847BV,315

NXP Полупроводники

FMB2227A

Фэрчайлд Полупроводник

ULN2803AN-P

Техасские инструменты

BCM847BV,115

NXP Полупроводники

PBSS4160PANP,115

NXP Полупроводники

SST45011MW6T1G

онсеми

BC847QASX

NXP USA Inc.

Также добавить в корзину

BC847BS

онсеми

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

NST65011MW6T1G

онсеми

SG2821L-DESC

Технология микрочипов

IT120A PDIP 8L

Линейные Интегрированные Системы, Инк.

SG2023J-883B

Технология микрочипов

CEN894

Центральная полупроводниковая корпорация

2N2919U/TR

Технология микрочипов

NSV60101DMR6T1G

онсеми

IT130 PDIP 8L

Линейные Интегрированные Системы, Инк.

IMZ4T108

Ром Полупроводник

ZDT6702TC

Встроенные диоды