Авторизоваться | Зарегистрироваться | Помощь

kasuo.com

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

DRA3123E0L технический паспорт и цена | pdf

Discover the DRA3123E0L Reference Manual for comprehensive guidance and specifications. Find essential details in the PDF, along with insights into its features and price, helping you make informed decisions for your applications.

Бренды: Электронные компоненты Panasonic

Скачать: -

Цена: расследование

В наличии: 18,781

VceSaturation(Макс)@IbIc: 300 мВ при 500 мкА, 10 мА

Отсечка коллектора тока (макс.): 500нА

Частота-Переход: -

Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT)

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции

Больше похожего

NSVMUN5136T1G

онсеми

NSVMUN5234T1G

онсеми

SMUN5235T1G-M02

онсеми

PDTC143ZU,115

Филипс

PDTA114EEAF

NXP USA Inc.

PDTA143ZK,135

NXP USA Inc.

PDTC144VS,126

NXP USA Inc.

PDTC144VK,115

NXP USA Inc.

PDTC144VE,115

NXP USA Inc.

PDTC144TS,126

NXP USA Inc.

PDTC143ZS,126

NXP USA Inc.

PDTC143XS,126

NXP USA Inc.

Также добавить в корзину

BCR191WE6327HTSA1

Технологии Инфинеон

ММБТРС105СС

Диотек Полупроводник

ADTC144EUAQ-13

Встроенные диоды

DRDP006W-7

Встроенные диоды

PDTC123JQC-QZ

Nexperia USA Inc.

PDTA144EMB,315

Nexperia USA Inc.

DTA114YU3HZGT106

Ром Полупроводник

RN1415(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

NSVMUN5132T1G

онсеми

PDTD114EQAZ

Nexperia USA Inc.

DTC123YEBHZGTL

Ром Полупроводник

NSVMMUN2133LT1G

онсеми