Авторизоваться | Зарегистрироваться | Помощь

kasuo.com

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

IMD10AMT1G Технические характеристики, цена, PDF

Explore the IMD10AMT1G Reference Manual for comprehensive technical details and applications. This guide provides essential insights to optimize your use of the IMD10AMT1G component in various projects.

Бренды: онсеми

Скачать: IMD10AMT1G Datasheet PDF

Цена: расследование

В наличии: 46

VceSaturation(Макс)@IbIc: 300 мВ при 1 мА, 10 мА

Отсечка коллектора тока (макс.): 500нА

Частота-Переход: -

Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT)

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции

Больше похожего

MMDTA141DW

Диотек Полупроводник

MMDTD141

Диотек Полупроводник

SMUN5113DW1T1G-M02

онсеми

PEMH10115

NXP USA Inc.

PEMH10115

Nexperia USA Inc.

PUMB2/ZLX

NXP USA Inc.

PUML1,115

NXP USA Inc.

NSVEMD4DXV6T1G

онсеми

PUMB3HX

Nexperia USA Inc.

PUMH7HX

Nexperia USA Inc.

PUMB3HF

Nexperia USA Inc.

PUMD6HX

Nexperia USA Inc.

Также добавить в корзину

PUMH7H-QF

Nexperia USA Inc.

RN2911FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

RN2903FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

DDC123JU-7

Встроенные диоды

SMUN5311DW1T3G

онсеми

MUN5137DW1T1

онсеми

EMH10T2R

Ром Полупроводник

DTA014TEBTL

Ром Полупроводник

IMD3AT108

Ром Полупроводник

BCR08PNH6433XTMA1

Технологии Инфинеон

XP0111000L

Электронные компоненты Panasonic

UMH2N-TP

Микро Коммерческая Компания