MJD112T4G Transistor | Datasheet & Price onsemi
Discover the Reference manual for the MJD112T4G, providing essential information and specifications for this component. Access the pdf version and learn more about its features, with detailed data available for an informed purchase at a competitive price.
- Тип транзистора: NPN - Дарлингтон
- Токосъемник (Ic) (макс.): 2 А
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 100 В
- Упаковка: TO-252-3, DPak (2 вывода + язычок), SC-63

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции
Больше похожего
Также добавить в корзину
Сопутствующие товары
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены