Авторизоваться | Зарегистрироваться | Помощь

kasuo.com

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

NST65011MW6T1G технический паспорт и цена | pdf

Explore the comprehensive NST65011MW6T1G reference manual available in PDF format. Discover pricing details and essential specifications for this component, empowering your electronic projects with reliable information.

Бренды: онсеми

Скачать: NST65011MW6T1G Datasheet PDF

Цена: расследование

В наличии: 2,145

DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce: 200 @ 2mA, 5V

Мощность-Макс: 380mW

Частота-Переход: 100МГц

Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT)

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции

Больше похожего

MMDT3906HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BC846BSHE3-TP

Микро Коммерческая Компания

MMDT3904HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

MMDT3946HE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BC847PNHE3-TP

Микро Коммерческая Компания

BCM847BV,315

NXP Полупроводники

FMB2227A

Фэрчайлд Полупроводник

ULN2803AN-P

Техасские инструменты

BCM847BV,115

NXP Полупроводники

PBSS4160PANP,115

NXP Полупроводники

SST45011MW6T1G

онсеми

BC847QASX

NXP USA Inc.

Также добавить в корзину

ZDT705TC

Встроенные диоды

JAN2N4854

Технология микрочипов

JANTX2N6987

Технология микрочипов

BC846BPDW1T1G

онсеми

MSR2N3810U/TR

Технология микрочипов

HN1B04FE-Y,LXHF

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

SSM2212CPZ-R7

Аналоговые Устройства Inc.

PBSS4041SPN,115

Nexperia USA Inc.

MCH5541-TL-E

онсеми

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

JANSL2N3810U/TR

Технология микрочипов

BC857BV-7

Встроенные диоды