Авторизоваться | Зарегистрироваться | Помощь

kasuo.com

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

Загрузить спецификацию

Корзина ( 0 )

РН1131МФВ,Л3Ф Технические характеристики, цена, PDF

Explore the RN1131MFV,L3F Reference Manual, offering comprehensive details and specifications. Access the PDF to discover pricing and enhance your understanding of these components for your next project.

Бренды: Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

Скачать: RN1131MFV,L3F Datasheet PDF

Цена: расследование

В наличии: 8,000

VceSaturation(Макс)@IbIc: 300 мВ при 500 мкА, 5 мА

Отсечка коллектора тока (макс.): 100нА (ICBO)

Частота-Переход: -

Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT)

БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00

Быстрый ответ, быстрая расценка

Быстрая отправка, никаких проблем после продажи

Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции

Больше похожего

NSVMUN5136T1G

онсеми

NSVMUN5234T1G

онсеми

SMUN5235T1G-M02

онсеми

PDTC143ZU,115

Филипс

PDTA114EEAF

NXP USA Inc.

PDTA143ZK,135

NXP USA Inc.

PDTC144VS,126

NXP USA Inc.

PDTC144VK,115

NXP USA Inc.

PDTC144VE,115

NXP USA Inc.

PDTC144TS,126

NXP USA Inc.

PDTC143ZS,126

NXP USA Inc.

PDTC143XS,126

NXP USA Inc.

Также добавить в корзину

ДДТА124ЕЕ-7-Ф

Встроенные диоды

РН2301,ЛФ

Toshiba Semiconductor и системы хранения данных

DDTC144TUA-7

Встроенные диоды

PDTA144VT,215

Nexperia USA Inc.

DTD122JKT146

Ром Полупроводник

PDTB143EQAZ

Nexperia USA Inc.

PDTA123EU,115

Nexperia USA Inc.

MUN2132T1G

онсеми

БКР 189Ф E6327

Технологии Инфинеон

DTC023JUBTL

Ром Полупроводник

ПБРП113ЕТ,215

Nexperia USA Inc.

PDTA114YK,115

NXP USA Inc.