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FJN3310RTA 資料表、價格、PDF 飛兆半導體
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- Vce飽和度（最大值）@IbIc： 1mA、10mA 時為 300mV
- 集電極截止電流（最大）： 100nA（ICBO）
- 頻率轉換： 250兆赫
- 包裹： 大部分
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