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BZT52C4V7-HE3-08 | Datasheet, Price & PDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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- 齊納電壓（標稱值）（Vz）： 4.7 V
- 寬容： ±5%
- 最大功率： 410 mW
- 包裹： 超氧化物歧化酶-123
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