FJN3310RTA 資料表、價格、PDF 飛兆半導體
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- Vce飽和度(最大值)@IbIc: 1mA、10mA 時為 300mV
- 集電極截止電流(最大): 100nA(ICBO)
- 頻率轉換: 250兆赫
- 包裹: 大部分

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