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IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4

IPB80N04S2-H4 | 資料表 | 價格 | PDF

The IPB80N04S2-H4 is a high-performance power MOSFET. For detailed specifications, including the Reference manual and technical information, explore the available PDF. Find useful insights about the device’s price, features, and application notes to support your design and decision-making process. Get comprehensive details in a concise and accessible format.
品牌： 英飛凌科技
下載： IPB80N04S2-H4 Datasheet PDF
價格： 詢問
有存貨： 4,748
場效電晶體類型： N溝道
漏源電壓（Vdss）： 40伏
持續漏極電流(Id)@25°C： 80A (Tc)
包裹： PG-TO263-3-2
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